Calidad Oblea del nitruro del galio & Oblea del zafiro fabricante

   ¡Sáfiro no es un mal nombre aquí!         Los entusiastas de los relojes están ciertamente familiarizados con el término "cristales de zafiro," como la gran mayoría de los modelos de relojes conocidos, excepto las piezas de inspiración vintage, casi universalmente incluyen este material en sus especificaciones.Esto plantea tres preguntas clave:     1¿El zafiro es valioso? 2¿El cristal de zafiro de un reloj está hecho de zafiro? 3¿Por qué usar zafiro?       En realidad, el zafiro utilizado en la relojería no es lo mismo que la piedra preciosa natural en el sentido tradicional.que es un zafiro sintético compuesto principalmente de óxido de aluminio (Al2O3)Como no se añaden colorantes, el zafiro sintético es incoloro.         Desde el punto de vista químico y estructural, no hay diferencia entre el zafiro natural y el sintético.   La razón por la que las principales marcas de relojes prefieren unánimemente el cristal de zafiro para gafas de reloj no es sólo porque suena premium, es principalmente debido a sus propiedades excepcionales:       - Dureza: El zafiro sintético coincide con el zafiro natural en 9 en la escala de Mohs, sólo superado por el diamante, por lo que es muy resistente a los arañazos (a diferencia del acrílico, que se puede rasgar fácilmente).   - Durabilidad: Resiste la corrosión, el calor y es muy conductor térmico.   - Claridad óptica: el cristal de zafiro ofrece una transparencia excepcional, lo que lo convierte en el material perfecto para la relojería moderna.         El uso del cristal de zafiro en la relojería comenzó en los años sesenta y se extendió rápidamente.Es prácticamente la única opción en la relojería de gama alta..       Luego, en 2011, el zafiro se convirtió una vez más en una sensación en la industria del reloj de lujo cuando RICHARD MILLE presentó el RM 056,con una caja de zafiro totalmente transparente, una innovación sin precedentes en la relojería de alta gama.Muchas marcas pronto se dieron cuenta de que el zafiro no era sólo para los cristales de los relojes, sino que también se podía utilizar para los estuches, y se veía impresionante.           En solo unos años, las fundas de zafiro se convirtieron en una tendencia, evolucionando de transparencia clara a colores vibrantes, lo que resulta en diseños cada vez más diversos.relojes con carcasa de zafiro que pasaron de ediciones limitadas a modelos de producción regular, e incluso colecciones de núcleo.   Así que hoy, echemos un vistazo a algunos de los relojes con caja de cristal de zafiro.     Artya     El Tourbillon de pureza Este Tourbillon de pureza del relojero suizo independiente ArtyA presenta un diseño altamente esqueletizado y una caja de zafiro transparente,maximizando el impacto visual del tourbillon, tal como su nombre indica- Es un tourbillon puro.     BELL & ROSS     BR-X1 Cronógrafo Tourbillon Zafiro En 2016, Bell & Ross debutó su primer reloj de zafiro, el BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire, limitado a solo 5 piezas y con un precio de más de € 400,000.lanzaron una versión esqueletizada aún más transparenteLuego, en 2021, lanzaron el BR 01 Cyber Skull Sapphire, con su motivo de cráneo característico en una caja cuadrada en negrita.         En el caso de los países de la UE,   L-evolución Estrictamente hablando, el repetidor de minutos L-Evolution de Blancpain Carillon Sapphire no tiene una caja completamente de zafiro,Pero sus puentes de zafiro transparentes y ventanas laterales crean un efecto de transparencia sorprendente, un "medio paso" en las cajas de zafiro.     CHANEL           J12 Rayos X Para el vigésimo aniversario del J12, Chanel presentó el J12 X-RAY.logrando un aspecto totalmente transparente que es visualmente impresionante.             CHOPARD     L.U.C. Full Strike Zafiro Lanzado en 2022, el L.U.C Full Strike Sapphire de Chopard fue el primer repetidor de minutos con una caja de zafiro.El reloj también ganó el Poinçon de Genève (Sello de Ginebra), el primer reloj no metálico que lo hace.     Se trata de un artículo de la Directiva 2000/29/CE.     Cuásar En 2019, Girard-Perregaux introdujo su primer reloj con caja de zafiro, el Quasar, con su icónico diseño "Three Bridges".La colección Laureato Absolute debutó su primer modelo de zafiro en 2020, junto con el tributo absoluto del laureado con una caja roja transparente, aunque no de zafiro, sino de un nuevo material policristalino llamado YAG (granate de aluminio ytrium).         ¿Qué quiere decir?     30° Tourbillon doble zafiro Greubel Forsey's 30° Double Tourbillon Sapphire destaca porque tanto la caja como la corona están hechas de cristal de zafiro.cuenta con cuatro barriles acoplados en serie para 120 horas de reserva de marchaEl precio es de más de un millón de dólares, limitado a 8 piezas.     JACOB y CO.     Astronomía sin defectos Para mostrar plenamente el movimiento de cuerda manual JCAM24, Jacob & Co. creó el Astronomia Flawless con una caja completamente de zafiro.     ¿Qué es esto?     Como el creador de tendencias en las fundas de zafiro, RICHARD MILLE ha dominado el material. Ya sea en los relojes masculinos o femeninos, o en los relojes complicados, las fundas de zafiro son una firma.RICHARD MILLE también enfatiza las variaciones de color, haciendo que sus relojes de zafiro sean ultra de moda.       Desde los cristales de zafiro hasta las cajas de zafiro, este material se ha convertido en un símbolo de la innovación de la relojería de alta gama. ¿Cuál es su reloj de zafiro favorito?

  El corte por láser se convertirá en la tecnología principal para cortar carburo de silicio de 8 pulgadas en el futuro       P: ¿Cuáles son las principales tecnologías para el procesamiento de cortes de carburo de silicio?   R: La dureza del carburo de silicio es la segunda después de la del diamante, y es un material de alta dureza y quebradizo.El proceso de cortar los cristales crecidos en hojas toma mucho tiempo y es propenso a agrietarseComo el primer proceso en el procesamiento de cristales simples de carburo de silicio, el rendimiento del corte determina los niveles de molienda, pulido, adelgazamiento y otros procesos posteriores.El procesamiento de corte es propenso a causar grietas en la superficie y el subsuelo de la oblea, aumentando la velocidad de rotura y el coste de fabricación de la oblea.El control de los daños de las grietas superficiales del corte de obleas es de gran importancia para promover el desarrollo de la tecnología de fabricación de dispositivos de carburo de silicioLas tecnologías de procesamiento de corte de carburo de silicio que se informan actualmente incluyen principalmente la consolidación, el corte con abrasivo libre, el corte por láser, la separación en frío y el corte por descarga eléctrica.Entre los cuales, el corte multicanal abrasivo de diamantes consolidados recíprocos es el método más comúnmente utilizado para procesar cristales simples de carburo de silicio.Cuando el tamaño del lingote de cristal alcanza 8 pulgadas o más, los requisitos para el equipo de corte de alambre son muy altos, el costo también es muy alto y la eficiencia es demasiado baja.Hay una necesidad urgente de desarrollar nuevas tecnologías de corte de bajo coste, con bajas pérdidas y alta eficiencia.       Ingot de cristal de SiC de ZMSH       P: ¿Cuáles son las ventajas de la tecnología de corte por láser sobre la tecnología tradicional de corte de múltiples alambres? R: En el proceso tradicional de corte de alambre, los lingotes de carburo de silicio deben cortarse en una dirección determinada en láminas delgadas con un grosor de varios cientos de micras.Estas hojas se muelen luego con el líquido de molienda de diamantes para eliminar las marcas de herramientas y daños de grietas de la superficie del subsuelo y alcanzar el grosor requeridoDespués de eso, se lleva a cabo el pulido CMP para lograr la planarización global, y finalmente, las obleas de carburo de silicio se limpian.Debido al hecho de que el carburo de silicio es un material de alta dureza y fragilidad, es propenso a deformarse y agrietarse durante el corte, molienda y pulido, lo que aumenta la velocidad de rotura de la oblea y el coste de fabricación.la rugosidad de la superficie y de la interfaz es altaAdemás, el ciclo de procesamiento de corte de alambre es largo y el rendimiento es bajo.Se estima que el método tradicional de corte de alambre múltiple tiene una tasa de utilización total de material de sólo el 50%Las primeras estadísticas de producción del extranjero muestran que, con una producción paralela continua de 24 horas, la pérdida de corte es de hasta el 75%.Se necesitan unos 273 días para producir 10100.000 piezas, que es un tiempo relativamente largo. En la actualidad, la mayoría de las empresas nacionales de crecimiento de cristales de carburo de silicio adoptan el enfoque de "cómo aumentar la producción" y aumentan significativamente el número de hornos de crecimiento de cristales.cuando la tecnología de crecimiento de cristales aún no está completamente madura y el rendimiento es relativamente bajoLa adopción de equipos de corte por láser puede reducir significativamente las pérdidas y aumentar la eficiencia de la producción.tomando como ejemplo un solo lingote de SiC de 20 mm, 30 obeliscos de 350 mm se pueden producir con una sierra de alambre, mientras que más de 50 obeliscos se pueden producir con tecnología de corte por láser.debido a las mejores características geométricas de las obleas producidas por corte por láserEn el caso de las barras de silicio de 20 mm, el espesor de una sola oblea puede reducirse a 200 mm, lo que aumenta aún más el número de oblasas.La tecnología tradicional de corte de alambre múltiple se ha aplicado ampliamente en el carburo de silicio de 6 pulgadas o menosSin embargo, toma de 10 a 15 días cortar el carburo de silicio de 8 pulgadas, que tiene altos requisitos de equipos, alto costo y baja eficiencia.Las ventajas técnicas del corte láser de gran tamaño se hacen evidentes y se convertirá en la tecnología principal para el corte de 8 pulgadas en el futuroEl corte con láser de lingotes de carburo de silicio de 8 pulgadas puede lograr un tiempo de corte de una sola pieza de menos de 20 minutos por pieza, mientras que la pérdida de corte de una sola pieza se controla dentro de 60um.       Ingot de cristal de SiC de ZMSH     En general, en comparación con la tecnología de corte de múltiples alambres, la tecnología de corte por láser tiene ventajas tales como alta eficiencia y velocidad, alta tasa de corte, baja pérdida de material y limpieza. P: ¿Cuáles son las principales dificultades en la tecnología de corte por láser de carburo de silicio? R: El proceso principal de la tecnología de corte por láser de carburo de silicio consiste en dos pasos: modificación por láser y separación de obleas. El núcleo de la modificación láser es dar forma y optimizar el haz láser.y la velocidad de escaneo afectará el efecto de la modificación de ablación de carburo de silicio y la posterior separación de obleasLas dimensiones geométricas de la zona de modificación determinan la rugosidad de la superficie y la posterior dificultad de separación.La alta rugosidad de la superficie aumentará la dificultad de la molienda posterior y aumentará la pérdida de material. Después de la modificación con láser, la separación de las obleas se basa principalmente en la fuerza de cizallamiento para pelar las obleas cortadas de los lingotes, como el agrietamiento en frío y la fuerza de tracción mecánica.La investigación y el desarrollo de los fabricantes nacionales utilizan principalmente transductores ultrasónicos para separar por vibración, lo que puede dar lugar a problemas como la fragmentación y el astillamiento, reduciendo así el rendimiento de los productos terminados.   Las dos etapas anteriores no deberían suponer dificultades significativas para la mayoría de las unidades de investigación y desarrollo.debido a los diferentes procesos y el dopaje de lingotes de cristal de varios fabricantes de crecimiento de cristalEn el caso de los lingotes de cristal, la calidad de los mismos varía mucho, o si el doping interno y la tensión de un solo lingote de cristal son desiguales, aumentará la dificultad de cortar el lingote de cristal.aumentar las pérdidas y reducir el rendimiento de los productos terminadosLa mera identificación mediante varios métodos de detección y luego la realización de una zona de escaneo láser de corte puede no tener un efecto significativo en la mejora de la eficiencia y la calidad de la rebanada.Cómo desarrollar métodos y tecnologías innovadores, optimizar los parámetros del proceso de corte,y desarrollar equipos y tecnologías de corte por láser con procesos universales para lingotes de cristal de diferentes calidades de diferentes fabricantes es el núcleo de la aplicación a gran escala.   P: Además del carburo de silicio, ¿puede aplicarse la tecnología de corte láser al corte de otros materiales semiconductores? R: La tecnología de corte láser temprana se aplicó en varios campos de materiales. En el campo de los semiconductores, se utilizó principalmente para cortar obleas de chip.se ha expandido hasta cortar cristales individuales de gran tamañoAdemás del carburo de silicio, también se puede utilizar para cortar materiales de alta dureza o frágiles como materiales de cristal único como diamantes, nitruro de galio y óxido de galio.El equipo de la Universidad de Nanjing ha hecho un montón de trabajo preliminar en la rebanada de estos varios semiconductores de cristal único, verificando la viabilidad y las ventajas de la tecnología de corte láser para cristales simples de semiconductores.       La oblea Diamond y la oblea GaN de ZMSH       P: ¿Existen actualmente en nuestro país productos maduros de equipos de corte láser? ¿En qué etapa se encuentra actualmente en la investigación y desarrollo de este dispositivo?   R: El equipo de corte láser de carburo de silicio de gran tamaño es considerado por la industria como el equipo principal para cortar lingotes de carburo de silicio de 8 pulgadas en el futuro.Los equipos de corte por láser de lingotes de carburo de silicio de gran tamaño solo pueden ser suministrados por Japón.La demanda interna de equipos de corte / adelgazamiento por láser se estima en alrededor de 1.000 unidades en función del número de unidades de corte de alambre y de la capacidad prevista de carburo de silicioActualmente, las empresas nacionales como Han's Laser, Delong Laser, y Jiangsu General han invertido enormes cantidades de dinero en el desarrollo de productos relacionados,pero aún no se ha aplicado ningún equipo comercial nacional maduro en las líneas de producción.   Ya en 2001, the team led by Academician Zhang Rong and Professor Xiu Xiangqian from Nanjing University developed a laser exfoliation technology for gallium nitride substrates with independent intellectual property rightsEn el último año, hemos aplicado esta tecnología al corte y adelgazamiento con láser de carburo de silicio de gran tamaño.Hemos completado el desarrollo de equipos prototipo y corte de proceso de investigación y desarrollo, logrando el corte y adelgazamiento de obleas de carburo de silicio semi-isolantes de 4-6 pulgadas y el corte de lingotes de carburo de silicio conductores de 6-8 pulgadas.El tiempo de corte para 6-8 pulgadas de carburo de silicio semi-aislante es de 10-15 minutos por rebanadaEl tiempo de corte de una sola pieza para lingotes de carburo de silicio conductores de 6-8 pulgadas es de 14-20 minutos por pieza, con una pérdida de una sola pieza de menos de 60um.Se estima que la tasa de producción puede incrementarse en más del 50%Después de cortar, moler y pulir, los parámetros geométricos de las obleas de carburo de silicio cumplen con las normas nacionales.Los resultados de la investigación también muestran que el efecto térmico durante el corte por láser no tiene una influencia significativa en la tensión y los parámetros geométricos del carburo de silicioUtilizando este equipo, también realizamos un estudio de verificación de viabilidad sobre la tecnología de corte de cristales individuales de diamante, nitruro de galio y óxido de galio.     Como líder innovador en la tecnología de procesamiento de obleas de carburo de silicio, ZMSH ha tomado la delantera en el dominio de la tecnología central de corte por láser de carburo de silicio de 8 pulgadas.A través de su sistema de modulación láser de alta precisión desarrollado de forma independiente y tecnología de gestión térmica inteligente, ha logrado con éxito un gran avance en la industria al aumentar la velocidad de corte en más del 50% y reducir la pérdida de material a menos de 100 μm.Nuestra solución de corte por láser emplea láseres de pulso ultravioleta ultra corto en combinación con un sistema óptico adaptativo, que puede controlar con precisión la profundidad de corte y la zona afectada por el calor, asegurando que el TTV de la oblea se controle dentro de 5μm y que la densidad de dislocación sea inferior a 103cm−2,proporcionar un apoyo técnico fiable para la producción en masa a gran escala de sustratos de carburo de silicio de 8 pulgadasEn la actualidad, esta tecnología ha pasado la verificación de grado automotriz y se está aplicando industrialmente en los campos de la nueva energía y la comunicación 5G.       El siguiente es el tipo de ZMSH SiC 4H-N & SEMI:               * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.          

Predicción y desafíos de los materiales semiconductores de quinta generación     Los semiconductores son la piedra angular de la era de la información, y la iteración de sus materiales determina directamente los límites de la tecnología humana.Desde la primera generación de semiconductores basados en silicio hasta la actual cuarta generación de materiales de banda ancha ultra ancha, cada generación de innovación ha impulsado un desarrollo vertiginoso en campos como la comunicación, la energía y la informática.Al analizar las características de los materiales semiconductores de cuarta generación y la lógica del reemplazo generacional, se especulan las posibles direcciones de los semiconductores de quinta generación y, al mismo tiempo, se explora el camino de avance para China en este campo.       I. Características de los materiales semiconductores de cuarta generación y la lógica del reemplazo generacional         La "Era Fundamental" de la primera generación de semiconductores: silicio y germanio     Las características:Los semiconductores elementales representados por el silicio (Si) y el germanio (Ge) tienen las ventajas de un bajo coste, un proceso maduro y una alta fiabilidad.Las diferencias entre las dos bandas son limitadas por el ancho de banda relativamente estrecho (Si: 1,12 eV, Ge: 0,67 eV), lo que resulta en una tensión de resistencia deficiente y un rendimiento de alta frecuencia insuficiente. Aplicaciones:Circuitos integrados, células solares, dispositivos de bajo voltaje y baja frecuencia. La razón del cambio de generación:Con la creciente demanda de rendimiento de alta frecuencia y alta temperatura en los campos de la comunicación y la optoelectrónica, los materiales a base de silicio son poco a poco incapaces de satisfacer las demandas.         Las obleas ópticas Windows & Si de ZMSH         Semiconductores de segunda generación: La "Revolución Optoelectrónica" de los semiconductores compuestos   Las características:Los compuestos del grupo III-V representados por el arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP) presentan un ancho de banda mayor (GaAs: 1,42 eV), alta movilidad electrónica,y son adecuados para la conversión de alta frecuencia y fotoeléctrica. Aplicaciones:Dispositivos de radiofrecuencia 5G, láseres, comunicaciones por satélite. Los desafíos:La escasez de materiales (como las reservas de indio de sólo el 0,001%), los altos costes de preparación y la presencia de elementos tóxicos (como el arsénico). La razón para el reemplazo generacional:Los nuevos equipos de energía y alta tensión han planteado mayores requisitos de resistencia y eficiencia a la tensión, lo que ha impulsado la aparición de materiales de banda ancha.       Las obleas GaAs y InP de ZMSH       Semiconductores de tercera generación: la "Revolución de la Energía" con banda ancha   Características:Con el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) como núcleo, el ancho de banda se aumenta significativamente (SiC: 3.2 eV, GaN: 3.4 eV), con un campo eléctrico de alta degradación,alta conductividad térmica y características de alta frecuencia. Aplicaciones:Sistemas de accionamiento eléctrico para vehículos de nueva energía, inversores fotovoltaicos, estaciones base 5G. Ventajas:El consumo de energía se reduce en más del 50% en comparación con los dispositivos basados en silicio, y el volumen se reduce en un 70%. La razón para el reemplazo generacional:Los campos emergentes como la inteligencia artificial y la computación cuántica requieren materiales de mayor rendimiento para el soporte, y los materiales de banda ancha han surgido como lo requiere The Times.       Las obleas de SiC y GaN de ZMSH       Semiconductores de cuarta generación: el "avance extremo" de la banda ultra ancha   Las características:Representado por óxido de galio (Ga2O3) y diamante (C), el ancho de banda ha aumentado aún más (óxido de galio: 4,8 eV), con una resistencia de encendido ultrabaja y un voltaje de resistencia ultraalto,y con un enorme potencial de costo. Aplicaciones:Chips de energía de ultraalta tensión, detectores ultravioleta profunda, dispositivos de comunicación cuántica. Desarrollo:Los dispositivos de óxido de galio pueden soportar voltajes superiores a 8000V, y su eficiencia es tres veces mayor que la del SiC. La lógica del reemplazo generacional:La búsqueda global de poder de computación y eficiencia energética se ha acercado al límite físico, y los nuevos materiales necesitan lograr saltos de rendimiento a escala cuántica.       Wafer Ga2O3 de ZMSH y GaN en Diamante         II. Tendencias en semiconductores de quinta generación: el "Plan de futuro" de materiales cuánticos y estructuras bidimensionales       Si la trayectoria evolutiva de "expansión de ancho de banda + integración funcional" continúa, los semiconductores de quinta generación pueden centrarse en las siguientes direcciones: 1) Aislador topológico:Con las características de conducción superficial y aislamiento interno, se puede utilizar para construir dispositivos electrónicos de energía cero,romper el cuello de botella de la generación de calor de los semiconductores tradicionales. 2) Materiales bidimensionales:El graphene y el disulfuro de molibdeno (MoS2), con espesor a nivel atómico, dotan de una respuesta de frecuencia ultra alta y un potencial de electrones flexible. 3) Puntos cuánticos y cristales fotónicos:Mediante la regulación de la estructura de la banda a través del efecto de confinamiento cuántico, se logra la integración multifuncional de luz, electricidad y calor. 4) Biosemiconductores:Materiales autoensamblados basados en ADN o proteínas, compatibles con sistemas biológicos y circuitos electrónicos. 5) Las fuerzas motrices centrales:La demanda de tecnologías disruptivas como la inteligencia artificial, las interfaces cerebro-computadora,y la superconductividad a temperatura ambiente está promoviendo la evolución de los semiconductores hacia la inteligencia y la biocompatibilidad.       Iii. Oportunidades para la industria de semiconductores de China: de "seguir" a "mantener el ritmo"       1) Los avances tecnológicos y la estructura de la cadena industrial · Semiconductores de tercera generación:China ha logrado la producción en masa de sustratos de SiC de 8 pulgadas, y los MOSFET de SiC de grado automotriz se han aplicado con éxito en fabricantes de automóviles como BYD. · Semiconductores de cuarta generación:La Universidad de Correos y Telecomunicaciones de Xi'an y el 46o Instituto de Investigación de China Electronics Technology Group Corporation han descubierto la tecnología epitaxial de óxido de galio de 8 pulgadas,Entrando en el primer escalón del mundo.     2) Apoyo político y de capital · elEl 14o Plan Quinquenal del país ha enumerado los semiconductores de tercera generación como un enfoque clave, y los gobiernos locales han establecido fondos industriales por valor de más de 10 mil millones de yuanes. · elEntre los diez mejores avances tecnológicos en 2024, se seleccionaron logros como dispositivos de nitruro de galio de 6-8 pulgadas y transistores de óxido de galio,Demostrando una tendencia de avance en toda la cadena industrial.       IV. Desafíos y el camino a través de la brecha       1) Cuello de botella técnico · Preparación del material:El rendimiento del crecimiento de cristal único de gran tamaño es bajo (por ejemplo, el óxido de galio es propenso a la grieta), y la dificultad de control de defectos es alta. · Confiabilidad del dispositivo:Los estándares de prueba de vida en alta frecuencia y alto voltaje aún no están completos, y el ciclo de certificación para dispositivos de grado automotriz es largo.       2) Deficiencias en la cadena industrial · Los equipos de gama alta dependen de las importaciones:Por ejemplo, la tasa de producción nacional de hornos de crecimiento de cristal de carburo de silicio es inferior al 20%. · Debilidad del ecosistema de aplicaciones:Las empresas de la cadena de producción inferior prefieren los componentes importados y la sustitución nacional requiere orientación política.     3) Desarrollo estratégico 1- Colaboración entre la industria y la universidad:Basándose en el modelo de "Alianza de Semiconductores de Tercera Generación",Nos uniremos con las universidades (como la Universidad de Zhejiang, el Instituto de Tecnología de Ningbo) y las empresas para abordar las tecnologías centrales.. 2Competencia diferenciada:Se centrará en mercados incrementales como la nueva energía y la comunicación cuántica, y evitará una confrontación directa con los gigantes tradicionales. 3El cultivo del talento:Establecer un fondo especial para atraer a los mejores académicos extranjeros y promover la construcción de la disciplina de "Ciencia e Ingeniería de Chips".   Desde el silicio hasta el óxido de galio, la evolución de los semiconductores es una épica de la humanidad rompiendo los límites físicos.Si China puede aprovechar la ventana de oportunidad de los semiconductores de cuarta generación y hacer planes prospectivos para los materiales de quinta generaciónComo dijo el académico Yang Deren: "La verdadera innovación requiere el coraje de tomar caminos desconocidos." En este camino, la resonancia de la política, el capital y la tecnología determinará el vasto océano de la industria de semiconductores de China.     ZMSH, como proveedor en el sector de los materiales semiconductores,ha establecido una presencia integral en toda la cadena de suministro, desde las obleas de silicio/germanio de primera generación hasta las películas finas de óxido de galio y diamantes de cuarta generación.La empresa se centra en mejorar el rendimiento de producción en masa de componentes de semiconductores de tercera generación, como sustratos de carburo de silicio y obleas epitaxiales de nitruro de galio.Al mismo tiempo que avanza en sus reservas técnicas en preparación de cristales para materiales de banda ultra anchaAprovechando un sistema de I + D, crecimiento de cristales y procesamiento integrado verticalmente, ZMSH ofrece soluciones de materiales personalizadas para estaciones base 5G, dispositivos de energía de nueva energía y sistemas de láser UV.La empresa ha desarrollado una estructura de capacidad de producción graduada que va desde obleas de arseniuro de galio de 6 pulgadas hasta obleas de carburo de silicio de 12 pulgadas, contribuyendo activamente al objetivo estratégico de China de construir una base material autosuficiente y controlable para la competitividad de la próxima generación de semiconductores.       La oblea de zafiro de 12 pulgadas de ZMSH y la oblea de SiC de 12 pulgadas:           * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.